Samsung zaprezentował drugą generację kości pamięci LPDDR4 które zyskały oznaczenie X. Nowa odmiana pracuje z taką samą prędkością (4266 Mb/s) co używana między innymi w iPhonie poprzedniczka, ale jest bardziej energooszczędna i mniejsza.

Samsung podaje, że dzięki procesowi „klasy 10 nm” w odmianie 1y-nm, nowe pamięci są do 10% mnie prądożerne od produkowanych w odmianie 1x-nm zwykłych LPDDR4. Należy zaznaczyć, że „klasa 10 nm” u Samsunga oznacza litografię w przedziale od 10 - 20 nm.

Kości mają pojemność 2 GB (16 Gb) i tworzy się z nich moduły po 8 GB pracujące z prędkością 34,1 GB/s. Dzięki większej „gęstości” udało się zmniejszyć wysokość modułów o 20% w stosunku do poprzednich. Ta ostatnia cecha z pewnością ucieszy Jony’ego Ive’a.

Ponad tydzień temu Samsung zaprezentował też kości LPDDR5 o prędkości 6400 Mb/s, które jednak w porównaniu do dziś wprowadzonych mają mniejszą pojemność (1 GB / kość).

Niestety, żadnej z tych pamięci raczej nie zobaczymy w tegorocznych iPhonach. Samsung dopiero rozpoczyna masową produkcję i zapewne w pierwszej kolejności wyposaży w nie swoje smartfony. W iPhonach możemy się ich spodziewać w modelach na rok 2019.

Źródło: Samsung